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本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种倒装红光Mini‑LED芯片及其制作方法。该芯片包括电极组、蓝宝石衬底，以及键合设置于所述蓝宝石衬底上表面的ITO透明导电层和外延结构；所述P型内电极嵌入式设置于所述ITO透明导电层上，且所述P型内电极与所述P型窗口层之间具有欧姆接触；所述外延结构具有贯通所述N型电极保护层上表面至所述P型内电极上表面的通孔；所述P型通孔接触电极贯穿设置于四周侧壁具有绝缘保护的通孔中，用于实现所述P型内电极和所述P型外电极的电连接。该结构能够解决现有技术采用台阶状结构导致
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117253953A
(43)申请公布日2023.12.19
(21)申请号202311523533.3
(22)申请日2023.11.16
(71)申请人南昌凯捷半导体科技有限公司
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