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本发明涉及PTFE绝缘材料性能调控技术领域，特别是公开了一种基于磁控溅射氧化钛的PTFE表面绝缘性能调控方法，该方法包括如下步骤：步骤一，制备测试样品，在不同气压和不同温度下，通过控制磁控溅射氧化钛改性PTFE绝缘材料的时间来调控测试样品的电导率；步骤二，在不同气压下，通过控制磁控溅射氧化钛改性PTFE绝缘材料的时间来调控测试样品的放电特性和闪络特性；步骤三，在不同温度下，通过控制磁控溅射氧化钛改性PTFE绝缘材料的时间来调控测试样品的放电特性和闪络特性；步骤四，针对不同的使用环境需求来调整磁控
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117248185A
(43)申请公布日2023.12.19
(21)申请号202310869764.3
(22)申请日2023.07.17
(71)申请人河北工业大学
地址300131
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