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2023-12-20 发布于四川
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一种半导体互连可靠性结构及其形成方法，半导体互连可靠性结构包括：多根金属线，沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，沿第一方向包括非引线区、以及分别位于非引线区两侧的第一引线区和第二引线区，沿第二方向包括交替间隔排布的第一金属线和第二金属线；第一隔断层，贯穿非引线区靠近第二引线区处的第一金属线，每个第一金属线具有多个第一隔断层，且多个第一隔断层沿第一方向排布；第二隔断层，贯穿非引线区靠近第一引线区处的第二金属线，每个第二金属线具有多个第二隔断层，且多个第二隔断层沿第一方向排布；通孔互连结构，分别位于

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117253813A

(43)申请公布日2023.12.19

(21)申请号202210654121.2

(22)申请日2022.06.10

(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限

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