一种三维闪存编程时延模型的建立方法及基于该模型的预测方法.pdfVIP

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2023-12-20 发布于四川
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一种三维闪存编程时延模型的建立方法及基于该模型的预测方法.pdf

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本发明公开了一种三维闪存编程时延模型的建立方法及基于该模型的预测方法。三维闪存以大容量、高性能等特性被广泛应用于固态硬盘中。但三维闪存块不同层的字线编程时延有差异，且随着编程/擦除次数的增长，编程时延呈现出线性变化规律，而对编程时延的建模和预测有助于为数据放置策略提供基础，并设计更高写性能的固态硬盘。因此本发明提供了一种三维闪存编程时延模型及预测方法，利用层间差异与编程/擦除周期对三维闪存的字线编程时延建模并预测，为高性能固态硬盘算法优化、数据布局提供编程时延模型与预测信息。本发明对闪存存储系统

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111859643A

(43)申请公布日2020.10.30

(21)申请号202010650467.6

(22)申请日2020.07.08

(71)申请人上海威固信息技术股份有限公司

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