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实施方式提供一种能够较佳地控制的半导体存储装置及用于控制半导体存储装置的方法。实施方式的半导体存储装置具备：基板；半导体柱；第1配线及第2配线，与半导体柱对向；第1绝缘膜，设置在半导体柱与第1配线之间；第2绝缘膜，设置在半导体柱与第2配线之间；以及控制电路，电连接在第1配线及第2配线。在写入动作的第1时序中第1配线的电压升高，在其后的第2时序中第1配线的电压降低，在其后的第3时序中第2配线的电压升高，在该第3时序或其后的第4时序中第1配线的电压升高，在其后的第5时序中第2配线的电压降低，在其后的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117253516A
(43)申请公布日2023.12.19
(21)申请号202311272584.3
(22)申请日2018.12.19
(30)优先权数据
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