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本发明提供一种异型靶材，包括：平面主部，所述平面主部用于与基片相对而设；倾斜辅部，所述倾斜辅部自平面主部的边缘向外延伸，并朝向基片方向倾斜设置，所述倾斜辅部与平面主部之间的夹角为5°～45°；所述平面主部可以是圆形，相应地，所述倾斜辅部为围绕平面主部设置的环形；所述平面主部的宽度大于基片的宽度，但不超过基片宽度的110%，所述平面主部和倾斜辅部的整体宽度为基片宽度的130%～160%。本发明还提出了利用异型靶材的磁控溅射工艺。本发明能够使得磁控溅射镀膜形成的薄膜膜厚均匀性更佳，同时实现更优的微孔
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117248187A
(43)申请公布日2023.12.19
(21)申请号202311387940.6
(22)申请日2023.10.24
(71)申请人无锡尚积半导体科技有限公司
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