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本发明公开了一种用于红外焦平面晶片的处理装置，包括真空吸盘、抛光装置和测量装置，真空吸盘用于真空吸附贴附有研磨胶膜层的红外焦平面晶片；抛光装置用于对红外焦平面晶片进行减薄抛光处理；测量装置用于测量红外焦平面晶片的平面度；并在判断出平面度大于预设平面度时，调整减薄抛光参数以使得晶片的平面度小于等于预设平面度。本发明通过抛光装置对吸附在真空吸盘上的红外焦平面晶片进行减薄抛光处理，再通过测量装置在线测量红外焦平面晶片的平面度，通过调整减薄抛光参数直至红外焦平面晶片的平面度小于等于预设平面度，有效地评价
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117253816A
(43)申请公布日2023.12.19
(21)申请号202210653038.3
(22)申请日2022.06.09
(71)申请人无锡中科德芯感知科技有限公司
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