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本公开公开了一种晶圆表面缺陷的检测方法、装置及系统,属于半导体制造技术领域,包括:获取多个待测晶圆图像;针对每一个待测晶圆图像,获取每一个待测晶圆图像中表面缺陷的多个第一连通域;通过将每个第一连通域均进行形态学膨胀获得对应的第二连通域;根据第二连通域所对应的第一连通域形成待测缺陷区域;基于待测缺陷区域识别缺陷类别。根据待测晶圆表面图像中膨胀前后的表面缺陷的连通域之间的关系,确定最终的待测缺陷区域;基于最终确定的待测缺陷区域识别缺陷类别,能将属于一个缺陷的多个连通域合并识别,能够避免因膨胀操作导致
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117252861A
(43)申请公布日2023.12.19
(21)申请号202311434546.3G06T5/30(2006.01)
(22)申请日2023.10.3
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