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一种半导体器件可以包括:衬底;多个存储单元,其被设置在第一导电线与第二导电线之间,并且分别被设置在第一导电线和第二导电线的交叉区域中;以及接触件结构,其被设置在第一导电线与衬底之间,并且包括多个上接触件和下接触件,多个上接触件连接到第一导电线,下接触件连接到衬底并且当在平面图中观察时与多个上接触件中的至少一个重叠,其中,多个上接触件中的每个上接触件与第一导电线中的至少两个第一导电线接触,以及其中,多个上接触件之中的彼此最靠近的两个上接触件与一个或更多个第一导电线共同地接触。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117255569A
(43)申请公布日2023.12.19
(21)申请号202310226411.1
(22)申请日2023.03.09
(30)优先权数据
10-2022-0073954
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