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半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-12-20 发布于四川
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半导体装置及其制造方法.pdf

    一种半导体装置包括：在第一方向上延伸的下图案；第一阻挡结构，其在所述下图案上，并且包括至少一个第一阻挡膜，所述第一阻挡膜包括掺氧晶体硅膜；源极/漏极图案，其在所述第一阻挡结构上；以及栅极结构，其在所述下图案上在第二方向上延伸并且包括栅电极和栅极绝缘膜。还讨论了相关的制造方法。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117253921A

    (43)申请公布日2023.12.19

    (21)申请号202310669149.8

    (22)申请日2023.06.07

    (30)优先权数据

    10-2022-0073910

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