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2023-12-20 发布于四川
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一种碳化硅LDMOS及制备方法.pdf

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本发明提供一种碳化硅LDMOS及制备方法，该碳化硅LDMOS包括：第一P‑top区；所述第一P‑top区位于栅极侧壁的下方并与氧化层和N型漂移层邻接。本发明在N型漂移层上层设置了多个P‑top区，第一P‑top区位于栅极侧壁的下方用于缓解栅极下方的电场尖峰以保护栅极氧化层，第二P‑top区位于第一P‑top的一侧，用于平滑漂移层的电场，提高器件的耐压能力，还能够降低导通电阻，还在源极下方设置了续流二极管，提高了器件的反向性能，并且增加了P型缓冲层，用于耗尽漂移层，将漏极密集的电场线吸引到源极，具

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117253924A

(43)申请公布日2023.12.19

(21)申请号202311548183.6

(22)申请日2023.11.20

(71)申请人深圳天狼芯半导体有限公司

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