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存储器及其制造方法、电子设备.pdfVIP

存储器及其制造方法、电子设备.pdf

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    本公开涉及一种存储器及其制造方法、电子设备，存储器包括一个或多个存储单元，一个或多个垂直于衬底的第一字线定义孔以及一个或多个第一晶体管容置槽；存储单元设置于衬底上，存储单元包括第一晶体管，第一晶体管包括第一半导体层；第一字线定义孔内具有第一字线和栅介质层，栅介质层位于第一字线和第一字线定义孔的侧壁之间；第一晶体管容置槽至少部分环绕第一字线定义孔；第一晶体管容置槽内具有第一半导体层，第一晶体管容置槽内无第一字线。本公开存储器能够消除寄生沟道及避免沟道损伤，提升器件性能。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117279373A

    (43)申请公布日2023.12.22

    (21)申请号202311321690.6

    (22)申请日2023.10.12

    (71)申请人北京超弦存储器研究院

    地址10

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