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本发明涉及一种制备用于外延生长锗层的锗衬底的方法，具有以下方法步骤：A.提供锗衬底，所述锗衬底具有加工侧和与加工侧相对置的背侧，并且至少利用以下加工步骤至少对锗衬底的加工侧进行电化学加工：A.0钝化加工侧，其中将加工侧极化为阴极，A.1对加工侧进行蚀刻，其中，交替地以阳极脉冲将加工侧极化为阳极和以阴极脉冲将加工侧极化为阴极，A.2电化学地钝化锗衬底的加工侧，此时将加工侧极化为阴极；A.3对加工侧进行蚀刻，其中，交替地以阳极脉冲将加工侧极化为阳极和以阴极脉冲将加工侧极化为阴极；B对加工侧进行重组，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117280443A
(43)申请公布日2023.12.22
(21)申请号202280033719.8(74)专利代理机构北京英创嘉友知识产权代理
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