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本申请涉及一种基于原位电极修饰的硒薄膜光电探测器、制备方法及应用，其包括如下步骤：在导电基底上依次制备第一电子传输层、硒薄膜和电极，以获得薄膜器件；对所述薄膜器件进行退火处理，得到基于原位电极修饰的硒薄膜光电探测器；其中，所述退火处理包括：从25～35℃开始升温，每升高5～15℃，则保温2～5分钟，直至160℃～190℃结束升温。本申请采用真空热蒸发沉积硒薄膜和电极，对硒薄膜和电极同时进行退火结晶处理，在加热过程中两者反应生成硒化物薄膜，这种原位反应可以生成致密的传输层，可以减少界面缺陷，且工艺
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117279399A
(43)申请公布日2023.12.22
(21)申请号202311137928.X
(22)申请日2023.09.05
(71)申请人武汉大学
地址430000
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