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本发明提供一种预掺杂方法、图像传感器及形成方法，所述预掺杂方法包括：对第一掩膜层的第一开口暴露的栅极层进行一次掺杂，采用自对准工艺形成具有第二开口的第二掩膜层并去除所述第一掩膜层，对所述第二开口暴露的所述栅极层进行二次掺杂。本发明仅采用一次光刻工艺，通过所述自对准工艺，分别于不同区域形成对应的掩膜，并采用离子注入于对应的区域分别进行离子注入，节省了工艺成本，且便于过程控制。所述预掺杂之后，所述栅极层于不同的区域具有不同的掺杂类型和/或不同的掺杂离子，图形化所述栅极层形成对应所述一次掺杂的第一栅极
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117276293A
(43)申请公布日2023.12.22
(21)申请号202210662124.0
(22)申请日2022.06.13
(71)申请人格科微电子（上海）有限公司
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