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2023-12-23 发布于四川
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本公开提供一种半导体存储器，包括多个存储块，每个存储块中包括多个感应放大器，每个存储块中包括体偏置发生模块，每个感应放大器中包括体偏置模块。体偏置发生模块耦合多个体偏置模块，用于向多个体偏置模块中的目标体偏置模块发送第一控制信号，目标体偏置模块耦合目标感应放大器中的P型晶体管的体端，用于在第一控制信号的作用下调节目标感应放大器中的P型晶体管的体端电压，以补偿目标感应放大器中的N型晶体管的阈值电压的失配，从而能够减小半导体存储器中一个或多个感应放大器中器件之间的失配，使得各个感应放大器能够有效放大

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117275537A

(43)申请公布日2023.12.22

(21)申请号202210662773.0

(22)申请日2022.06.13

(71)申请人长鑫存储技术有限公司

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