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本发明涉及一种监控太阳能电池介质层厚度的工艺方法，属于晶硅太阳能电池生产技术领域。所述工艺方法包括将硅片进行预清洗和制绒；将制绒后的硅片进行抛光；将制备好的抛光片作为监控片进行表面处理；使用光谱椭偏仪对表面处理后获得的质层厚度进行测试，获得硅片表面的质层厚度。本发明提供的方法可以从前端测试得到单工序热氧化工艺所生长的介质层(或氧化层)的基础厚度，并精确测试每个后端工艺处理后，硅片表面氧化层的剩余厚度，对氧化层的保护能力进行评估，从而在实验过程中对工艺条件(如温度、时间等)进行可视化调整。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117276110A
(43)申请公布日2023.12.22
(21)申请号202311320017.0(51)Int.Cl.
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