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本发明提供一种IWSO靶材、其制备方法和由其制得的薄膜，属于靶材制备技术领域。制备方法为将氧化钨粉、氧化锡粉及金属锡粉混合均匀后，进行真空加压热处理，获得WSO前驱体，破碎后与氧化铟粉进行球磨混合，造粒获得IWSO造粒粉，将其成型为靶材素坯，在氧气气氛下高温烧结，即得。所得靶材以RPD镀膜法制得薄膜，厚度为90~110nm。该方法解决了传统工艺制备IWO时高温烧结导致氧化钨挥发，同时无法形成良好的晶粒微结构的问题，所得靶材成分稳定，分布均匀，不含有害杂质，靶材微结构中晶粒相互连接，避免了RPD镀
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117263671A
(43)申请公布日2023.12.22
(21)申请号202311374872.X
(22)申请日2023.10.23
(71)申请人深圳众诚达应用材
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