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一种双层吸收结构波导型锗硅光电探测器及其制作方法.pdfVIP

一种双层吸收结构波导型锗硅光电探测器及其制作方法.pdf

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    本发明公开了一种双层吸收结构波导型锗硅光电探测器及其制作方法，涉及光电探测领域，其技术方案要点是：包括衬底层、二氧化硅埋层、硅波导层、吸收结构和金属电极；衬底层、二氧化硅埋层和硅波导层自下而上堆叠设置，其中，二氧化硅埋层，设置于衬底层的表面，二氧化硅埋层上刻蚀有凹槽；吸收结构，包括设置于硅波导层的本征i‑Si区远离二氧化硅埋层一侧表面的上吸收层和设置于硅波导层的本征i‑Si区靠近二氧化硅埋层另一侧表面的下吸收层，下吸收层嵌设于凹槽中；金属电极，包括第一电极和第二电极，第一电极设置于第一重掺杂层上

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117293205A

    (43)申请公布日2023.12.26

    (21)申请号202311217319.5

    (22)申请日2023.09.20

    (71)申请人无锡芯光互连技术研究院有限公司

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