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射频半导体器件、电子设备及射频半导体器件的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-12-27 发布于四川
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射频半导体器件、电子设备及射频半导体器件的制备方法.pdf

    本申请实施例提供一种射频半导体器件、电子设备及射频半导体器件的制备方法。涉及半导体技术领域。提供一种实现低射频损耗的射频半导体器件。该射频半导体器件包括衬底、依次堆叠在衬底上的成核层、沟道层、势垒层，其中，成核层、沟道层和势垒层均包含有IIIA族中的元素；成核层还包含有P型杂质，P型杂质包含II族中和/或ⅣA中的至少一种元素，且成核层包括堆叠的至少两层。通过引入包含有P型杂质的至少两层成核层，以抑制在包含有硅的衬底中形成寄生沟道，降低该射频半导体器件的射频损耗。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117293174A

    (43)申请公布日2023.12.26

    (21)申请号202210682633.X

    (22)申请日2022.06.16

    (71)申请人华为技术有限公司

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