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一种利用激光诱导和湿法腐蚀快速制造硅微通道的方法.pdfVIP

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  • 2023-12-28 发布于四川
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一种利用激光诱导和湿法腐蚀快速制造硅微通道的方法.pdf

    本发明涉及硅微通道加工技术领域，特别是涉及一种利用激光诱导和湿法腐蚀快速制造硅微通道的方法，在硅晶圆片上沉积掩膜层；利用激光烧蚀法在掩膜层上进行图形化，规划出微通道的线路布局，并诱导形成第一预设深度范围和第一预设宽度范围的沟道，得到预处理的硅晶圆片；对待刻蚀硅晶圆片进行湿法刻蚀，获得湿法刻蚀后的硅晶圆片，湿法刻蚀后的硅晶圆片具有第二预设深度范围、第二预设宽度范围和预设通道截面。本发明采用上述一种利用激光诱导和湿法腐蚀快速制造硅微通道的方法，降低深硅加工中的时间成本，制作快速原型设备具有操作简单，

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117285002A

    (43)申请公布日2023.12.26

    (21)申请号202311571988.2

    (22)申请日2023.11.23

    (71)申请人华东理工大学

    地址200237

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