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- 2023-12-28 发布于四川
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提供晶片的加工方法,能够在单晶硅晶片中形成适当的盾构隧道,能够通过盾构隧道形成与等离子蚀刻的复合加工将单晶硅晶片分割成各个器件。晶片的加工方法包含:保护部件配设工序,在晶片(2)的正面(2a)上配设保护部件;盾构隧道形成工序,从晶片(2)的背面(2b)对与分割预定线(4)对应的区域照射对于单晶硅具有透过性的波长的激光光线(LB)为连续地形成多个盾构隧道(56),该盾构隧道(56)由从背面(2b)至正面(2a)的细孔(52)和围绕细孔(52)的非晶质(54)构成;以及分割工序,通过等离子蚀刻对盾构
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN109411412A
(43)申请公布日
2019.03.01
(21)申请号20181
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