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本发明涉及碳化硅生长技术领域，公开了一种碳化硅晶体生长的热场和和碳化硅单晶生长方法，其中，碳化硅晶体生长的热场包括坩埚，坩埚内部为用于填装碳化硅原料的中空结构，坩埚的顶部设置有供测温模块探测籽晶温度的上测温孔，坩埚的底部设置有供测温模块探测碳化硅原料温度的下测温孔。通过上述设置，可以直观地得到晶体表面和原料表面的温度情况，最大程度上还原生长腔室的温场情况，从而对晶体生长的过程实施有效的监控，减少晶体生长过程中的不确定因素，提高长晶过程的稳定性，提高晶体生长质量。有利于对整个晶体生长过程的分析和理
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117305976A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202210707397.2
(22)申请日2022.06.21
(71)申请人北京粤海金半导体技术有限公司
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