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多层硅电容结构的制作方法及多层硅电容结构.pdfVIP

多层硅电容结构的制作方法及多层硅电容结构.pdf

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    本发明公开了一种多层硅电容结构的制作方法及多层硅电容结构，通过逐层形成介电层和电极层时，对介电层或电极层进行图案化处理，以使得奇数电极层与偶数电极层在堆叠方向上部分不重合设置，可以使得最终仅需一步刻蚀就能分别实现奇数电极层之间的互联和电导出、以及偶数电极层之间的互联和电导出。或者对介电层或电极层进行图案化处理，以使得奇数电极层与偶数电极层分别暴露于不同侧，可以使得后续直接在两侧端部制备端部电极，实现奇数电极层之间的互联和电导出、以及偶数电极层之间的互联和电导出，工艺简单且套刻精度要求低。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117320541A

    (43)申请公布日2023.12.29

    (21)申请号202311262604.9H01G4/06(2006.01)

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