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2023-12-30 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有晶体管和第一绝缘介质层，所述第一绝缘介质层覆盖所述晶体管；于所述晶体管上方的第一绝缘介质层中形成牺牲层；形成第二绝缘介质层于所述第一绝缘介质层上，且所述第二绝缘介质层覆盖所述牺牲层；刻蚀所述第二绝缘介质层，以形成暴露出部分所述牺牲层的第一气隙，所述第一气隙的宽度小于所述牺牲层的宽度；去除所述牺牲层，以形成第二气隙；形成第三绝缘介质层将所述第一气隙封口。本发明的技术方案使得半导体器件的寄生电容得到降低。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117316866A

(43)申请公布日2023.12.29

(21)申请号202311338888.5

(22)申请日2023.10.16

(71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司

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