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本发明公开了一种线性图像传感器及制作方法和光刻掩膜版，该制作方法包括：提供半导体基底以及第一掩膜版，以第一掩膜版为遮挡对半导体基底进行第一次曝光，第一次曝光的区域对应为第一区域；将半导体基底在第一预设方向上相对第一掩膜版移动第一预设距离；提供第二掩膜版，基于第一预设距离，并以第二掩膜版为遮挡对半导体基底进行第二次曝光，第二次曝光的区域对应为第二区域；基于第一次曝光及第二次曝光完成对半导体基底中一个芯片区域的曝光，一个芯片区域包括第一区域和第二区域。将一个芯片区域通过至少两次的平移曝光，至少两次的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117311098A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202210689908.2
(22)申请日2022.06.17
(71)申请人思特威（上海）电
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