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用于可控硅整流器的结构和形成用于可控硅整流器的结构的方法。结构包括半导体衬底、位于半导体衬底上的电介质层、以及位于电介质层下方的半导体衬底中的第一阱和第二阱。第一阱具有第一导电类型，第二阱具有与第一导电类型相反的第二导电类型，以及第二阱沿p‑n结邻接第一阱。结构还包括位于电介质层上方的第一端子和第二端子、从第一端子延伸穿过电介质层到达第一阱的第一连接、以及从第二端子延伸穿过电介质层到达第二阱的第二连接。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117316945A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202310621245.5
(22)申请日2023.05.30
(30)优先权数据
17/8498672022.
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