一种单原子结构双稳态真随机数发生器、发生及制备方法.pdfVIP

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2023-12-30 发布于四川
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一种单原子结构双稳态真随机数发生器、发生及制备方法.pdf

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本发明公开了一种基于原子制造工艺的单原子结构双稳态真随机数发生器、发生及制备方法。该真随机数发生器利用III‑V族宽禁带半导体衬底(110)表面量子隧穿结电极之间的单分散掺杂原子结构双稳态引起的二值随机隧穿电流作为真随机数来源，其工作机制为热振动导致两种等能量构型间随机跳变引起隧穿电导状态跳变。制作该器件首先通过真空内外清洁与真空解理获得衬底(110)表面；其次在低温真空下沉积单原子，通过原子操纵构筑金属纳米线与内接栅极，进行核心部位封装；最后在真空中生长引线、外接电极与封装层。本发明利用电场调

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117311666A

(43)申请公布日2023.12.29

(21)申请号202311203809.XC23C14/14(2006.01)

(22)申请日2023.09.

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