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本申请公开了一种半导体制程设备。半导体制程设备包括：基台，至少一冷却子结构和至少一边缘冷却机构。基台包括主体和至少一承载部，其中，基台的至少一承载部用以放置半导体籽晶；至少一冷却子结构设置在基台的主体内，至少一边缘冷却机构设置在对应至少一冷却子结构内且对应至少一承载部的边缘处，以在基于半导体籽晶生长半导体材质时，藉由至少一边缘冷却机构调节控制半导体籽晶的边缘处的温度。该半导体制程设备通过至少一边缘冷却机构对半导体籽晶的边缘处的温度进行调节控制保护半导体籽晶单晶生长的稳定性，提升成品质量和成品良率
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220265943U
(45)授权公告日2023.12.29
(21)申请号202321055869.7
(22)申请日2023.05.05
(73)专利权人湖南三安半导体有限责任公司
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