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本申请提供一种太阳能电池和制备方法。该太阳能电池包括：硅基底，具有相对的第一表面和第二表面；第一掺杂层，设置于第一表面；第二掺杂层，设置于第二表面，第一掺杂层的掺杂类型与第二掺杂层的掺杂类型相反；第一电极，与第一掺杂层连接；第二电极，与第二掺杂层连接；隔离槽，沿硅基底的厚度方向贯穿第一掺杂层，且包围第一电极；以及隧穿层，隧穿层设置于第二表面，第二掺杂层设置于述隧穿层远离硅基底的表面，其中，隧穿层延伸至硅基底的侧面，并覆盖至少部分硅基底的侧面。本申请的太阳能电池使用贯穿第一掺杂层的隔离槽将电极与电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117317040A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202311513770.1H01L31/18(2006.01)
(22)申请日2023.09.
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