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2023-12-30 发布于四川
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硼选择性发射极及其制备方法和应用.pdf

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本发明涉及一种硼选择性发射极及其制备方法和应用。该硼选择性发射极的所述硼选择性发射极包括：轻掺杂区和设置于轻掺杂区对应栅线区域的重掺杂区，制备方法包括如下步骤：通过硼扩散在硅基底上制备第一掺杂层；采用激光照射第一掺杂层对应栅线的区域，在第一掺杂层上形成第二掺杂层；对形成有第一掺杂层和第二掺杂层的硅基底进行氧化退火处理，使受到损伤的硅层氧化，后续可去除，降低或修复激光损伤，以及优化P‑N结型、掺杂层的表面浓度和结深。该方法简单易行，通过对正常工艺进行改进，在不引入新工序的前提下即能够减少或避免激光

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117317060A

(43)申请公布日2023.12.29

(21)申请号202311285370.X

(22)申请日2023.10.07

(71)申请人天合光能（宿迁）

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