原创力文档- 1、本文档共27页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
场效应晶体管及其应用课程课件
场效应晶体管简介场效应晶体管特性场效应晶体管应用场效应晶体管发展历程场效应晶体管与其他电子器件的比较场效应晶体管制作工艺目录
01场效应晶体管简介
场效应晶体管定义场效应晶体管（Field-EffectTransistor，简称FET）：是一种利用电场控制半导体导电性能的电子器件。它通过改变半导体表面的电场分布，调控半导体的导电性能，从而实现信号放大、开关控制等功能。
当外加电压施加到场效应晶体管的栅极时，会产生一个垂直于半导体表面的电场。这个电场改变了半导体内部的能带结构，使得半导体表面的载流子浓度发生变化，从而调控了源极和漏极之间的电流。通过改变栅极电压，可
文档评论（0）