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提供了存储器装置及制造存储器装置的方法。所描述的装置及方法通过形成包含低电阻率材料的字线来降低字线的电阻率。低电阻率材料具有从5μΩcm到100μΩcm范围内的电阻率。低电阻率材料可通过使字线凹陷并在字线的凹陷部分中选择性地生长低电阻率材料来形成。或者，可通过沉积金属层并硅化在字线区域及公共源极线区域中的金属来形成低电阻率材料。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117337623A
(43)申请公布日2024.01.02
(21)申请号202280034875.6(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理
(22)申请日2022.05.
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