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本申请涉及一种半导体封装结构及其制备方法。该半导体封装结构包括器件层以及位于器件层一侧的桥接层；器件层包括第一芯片，以及间隔排布于第一芯片至少一侧的多个第二芯片；桥接层包括防裂桥接结构；多个第二芯片与第一芯片经由防裂桥接结构信号互联；其中，每个第二芯片靠近第一芯片的侧壁与第一芯片之间的正对区域，在防裂桥接结构上的正投影，落在防裂桥接结构的轮廓内。该半导体封装结构可以提升半导体封装结构的制造良率以及使用可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117334659A
(43)申请公布日2024.01.02
(21)申请号202311290996.XH10B80/00(2023.01)
(22)申请日2023.10.
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