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本发明公开了一种存内计算的带符号计算单元，包括SRAM电路、输入电路以及传输电路，SRAM电路包括反相器INV1、反相器INV2、晶体管MN1以及晶体管MN2；输入电路包括电源电压VDD、接地电压GND、晶体管MP1、晶体管MP2、晶体管MP3以及晶体管MP4；传输电路，传输电路包括传输线GBL_N、传输线GBL_P、电容C1以及电容C2；该设计通过输入电路实现了在SRAM中进行双路并行的带符号数运算，大幅度减小了带符号数运算带来的额外功耗和面积；使得SRAM存储器能够实现同时的带符号乘加运算，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117332832A
(43)申请公布日2024.01.02
(21)申请号202311301154.XG11C11/417(2006.01)
(22)申请日2023.10
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