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屹晶微电子有限公司EG2183DMOS驱动芯片数据手册V1.0
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
EG2183D芯片数据手册V1.0
1.特性
◼高端悬浮自举电源设计，耐压可达600V
◼适应5V、3.3V输入电压
◼最高频率支持500KHZ
◼低端VCC电压范围8V-20V
◼输出电流能力IO+/-2A/2.5A
◼内建死区控制电路
◼自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
◼HIN输入通道高电平有效，控制高端HO输出
◼LIN输入通道低电平有效，控制低端LO输出
◼外围器件少
◼封装形式：SOP8
◼无铅无卤符合ROHS标准
2.描述
EG2183D是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入
处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机
控制器中的驱动电路。
EG2183D高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽8V～20V，静态功耗小于300uA。
该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了
上拉5V高电位,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO+/-2/2.5A，采用SOP8
封装。
3.应用领域
◼移动电源高压快充开关电源
◼电动车控制器
◼变频水泵控制器
◼600V降压型开关电源
◼无刷电机驱动器
◼高压Class-D类功放
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屹晶微电子有限公司EG2183DMOS驱动芯片数据手册V1.0
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
4.引脚
4.1引脚定义
VBHOVSVcc
8765
EG2183D
1234
HINLINGNDLO
图4-1.EG2183D管脚定义
4.2引脚描述
引脚序号引脚名称I/O描述
逻辑输入控制信号高电平有效，控制高端功率MOS管的导通与截
止
1HINI
“0”是关闭功率MOS管
“1”是开启功率MOS管
逻辑输入控制信号低电平有效，控制低端功率MOS管的导通与截
止
2LINI
“1”是关闭功率MOS管
“0”是开启功率MOS管
3GNDGND芯片的地端。
4LOO输出控制低端MOS功率管的导通与截止
芯片工作电源输入端，
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