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一种氮基半导体器件，其特征在于，包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、栅电极、欧姆电极和单场板。第二氮化物半导体层设置在所述第一氮化物半导体层上，所述第二氮化物半导体层的带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。栅电极设置在所述第二氮化物基半导体层上方。欧姆电极设置所述在第二氮化物基半导体层上方。单场板设置在所述第二氮化物基半导体层上方，且位于所述栅电极和所述欧姆电极之间，其中所述单场板具有至少一对圆角。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN115663025A
(43)申请公布日2023.01.31
(21)申请号202211387983.X
(22)申请日2022.11.04
(71)申请人英诺赛科（苏州）半导体有限公司
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