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本发明公开一种高容错率抑制漏源电压过冲的U槽SiCVDMOSFET结构，包括MOS元胞，MOS元胞引入U槽，缩小单个重复元胞尺寸，提升电流密度，MOS元胞的JFET区下方的P阱形成窄JFET区的屏蔽结构且在对应的位置采用了阶梯栅氧，屏蔽结构可以提高器件的雪崩能力，还可以大幅降低器件发生短路时的饱和电流，提高器件的短路能力，采用更厚的氧化层厚度，降低SiCMOSFET发生雪崩击穿时氧化层中的电场强度，提高器件在出现漏源电压过冲或雪崩击穿时的性能稳定性，保障器件的长期可靠安全工作，二者协同工作可
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117334743A
(43)申请公布日2024.01.02
(21)申请号202311522459.3
(22)申请日2023.11.15
(71)申请人杭州谱析光晶半导体科技有限公司
地
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