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本实用新型涉及晶圆封装技术领域，尤其涉及一种晶圆封装结构，包括底座、半导体衬底与焊球，所述底座的上端固定连接半导体衬底，半导体衬底的上端固定连接介质层，介质层的内部设置有焊球，焊球的内部设置有球下金属层，球下金属层的内部设置有金属核。通过本结构，在底座的上端固定连接半导体衬底，可以有效地支持和保护半导体器件，提高焊球的导电性能和稳定性，减少焊球与钝化层之间的应力和热膨胀系数的不匹配，延长晶圆封装结构的使用寿命。钝化层下端的绝缘黏附层可以增强钝化层的抗腐蚀和抗氧化能力，防止钝化层受到外界环境的影响
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220290795U
(45)授权公告日2024.01.02
(21)申请号202321866989.5
(22)申请日2023.07.17
(73)专利权人晶通（高邮）集成电路有限公司
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