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一种被配置为减少滞后的设备，包括：基板；基板上的III族氮化物背势垒层；III族氮化物背势垒层上的III族氮化物沟道层；III族氮化物沟道层上的III族氮化物势垒层，该III族氮化物势垒层包括比III族氮化物沟道层的带隙高的带隙；源极，电耦接到III族氮化物势垒层；栅极，在III族氮化物势垒层上；漏极，电耦接到III族氮化物势垒层；以及p区域，布置在III族氮化物势垒层处或III族氮化物势垒层的下方。另外，p区域的至少一部分垂直布置在以下各项中的至少一项的下方：源极、栅极、栅极与漏极之间的区域。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117337494A
(43)申请公布日2024.01.02
(21)申请号202280035734.6(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限
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