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具有富陷阱层的修改的绝缘体上硅(SOI)衬底以及用于进行这样的修改的方法。经修改的区域消除或管理否则将由于下面的富陷阱层和经历状态的瞬态变化的有源层器件的相互作用而会出现的累积电荷，从而消除或减轻这样的累积电荷对制造在这样的衬底上的非RF集成电路的影响。实施方式针对要求高线性度的RF电路例如RF开关保留了具有富陷阱层的SOI衬底的有益特性，同时针对对由于富陷阱层的存在而引起的累积电荷效应敏感的电路例如非RF模拟电路和放大器(包括功率放大器和低噪声放大器)避免了富陷阱层的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN110637369A
(43)申请公布日
2019.12.31
(21)申请号20188
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