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- 2024-01-03 发布于四川
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本发明提供一种用于太阳能电池的防过刻蚀结构及防过刻蚀方法，防过刻蚀结构包括覆盖在非晶硅薄膜或多晶硅薄膜表面的一层或两层氧化硅掩膜，其中位于防过刻蚀结构表面的第一氧化硅掩膜含有碳原子，所述第一氧化硅掩膜中碳原子的浓度不低于3at％。本发明在位于防过刻蚀结构表面的第一氧化硅掩膜中引入碳原子，由于碳原子的作用，使得第一氧化硅掩膜的表面非常亲水，使得后续工艺中水膜可以很好地覆盖其表面，保证第一氧化硅掩膜的完整性；并且含碳氧化硅对碱液的抗腐蚀能力优异，可以有效减少碱液的侵蚀，避免碱液过度刻蚀，提高生产良品
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117334783A
(43)申请公布日2024.01.02
(21)申请号202311289170.1
(22)申请日2023.10.08
(71)申请人中科研和（宁波）科技有限公司
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