半导体制造技术真题题库.docx

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2024-01-08 发布于天津
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半导体制造技术真题题库

1、问答题〔江南博哥〕从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中〔Back-End-Of-Line，BEOL〕承受铜〔Cu〕互连和低介电常数〔low-k〕材料的必要性。

解析：寄生电阻和寄生电容造成的延迟。电子在导电过程中会撞击导体中的离子，将动量转移给离子从而推动离子发生缓慢移动。该现象称为电迁移。在导电过程中，电迁移不断积存，并最终在导体中产生分散的缺陷。这些缺陷随后集合成大的空洞，造成断路。因此，电迁移直接影响电路的牢靠性。承受铜互连可大幅降低金属互连线的电阻从而削减互连造成的延迟。铜的电迁移比铝材料小很多：铜的晶格集中的激活能为2.2eV，晶界集中结合能在