EG2133中压300V1.2A三相半桥驱动芯片数据手册V1.0.pdfVIP

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NEG2133芯片用户手册

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三相独立半桥驱动芯片

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屹晶微电子有限公司EG2133芯片数据手册V1.0

三相独立半桥驱动芯片

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V1.02017年08月16日EG2133数据手册初稿

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屹晶微电子有限公司EG2133芯片数据手册V1.0

三相独立半桥驱动芯片

目录

1.特性1

2.描述1

3.应用领域1

4.引脚2

4.1引脚定义2

4.2引脚描述2

5.结构框图3

6.典型应用电路4

7.电气特性4

7.1极限参数4

7.2典型参数5

7.3开关时间特性及死区时间波形图6

8.应用设计7

8.1VCC端电源电压7

8.2输入逻辑信号要求和输出驱动器特性7

9.封装尺寸9

9.1TSSOP20封装尺寸9

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屹晶微电子有限公司EG2133芯片数据手册V1.0

三相独立半桥驱动芯片

EG2133芯片数据手册V1.0

1.特性

◼高端悬浮自举电源设计，耐压可达300V

◼集成三路独立半桥驱动

◼适应5V、3.3V输入电压

◼最高频率支持500KHZ

◼低端VCC电压范围4.5V-20V

◼输出电流能力IO+1.2A/-1.4A

◼内建死区控制电路

◼自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通

◼HIN输入通道高电平有效，控制高端HO输出

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◼LIN输入通道低电平有效，控制低端LO输出

◼封装形式：TSSOP20

2.描述

EG2133是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处

理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。

EG2133