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本发明提供一种退火均匀性的监控方法，方法包括：首先，提供多个晶圆，在每一晶圆上形成多个外延发光层，其次，在每一晶圆中对应的每一外延发光层上形成P型接触组件，并对P型接触组件进行退火处理，再次，在每一晶圆中的每一P型接触组件及N型半导体层上均形成N型电极组件，并对N型电极组件进行退火处理，最后，对晶圆中每一芯片结构上对应于N型电极组件的所在区域进行电压检测，并根据检测结果来监控每一晶圆在不同区域的退火均匀性；上述方法能够有效的减少了在监控中的光刻沉积等步骤，同时对每个晶圆在整个区域的退火效果进行监
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117352437A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311465588.3
(22)申请日2023.11.02
(71)申请人武汉优炜芯科技有限公司
地址4
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