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本发明公开了一种基于拓扑光子结构的硅发光实现方法其包括以下结构：硅发光结构由生长在硅基底上的周期性排布的微纳级柱状晶栅和硅基底构成，微纳级柱状晶栅呈周期性排布，作为垂直腔激光阵列。每个微纳级柱状晶栅由上下布拉格反射镜与中间硅量子点构成，每个微纳级别的柱状晶栅高3～7微米，横截面直径1.5～3微米。相邻微纳级柱状晶栅依间距大小分为压缩结构与拉伸结构，两种结构拥有不同的拓扑不变量，二者交界处满足了拓扑边缘态，形成能量定向流动腔，在硅量子点吸收波长处形成角态模式，能量高度集中，显著提升此处外量子效率，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117348154A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311232750.7
(22)申请日2023.09.22
(71)申请人电子科技大学长三角研究院（湖州）
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