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半导体装置以及半导体装置的制造方法.pdfVIP

半导体装置以及半导体装置的制造方法.pdf

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    本发明提供一种半导体装置，其具有MOS栅结构，所述半导体装置具备：半导体基板；第一层间绝缘膜，其设置于半导体基板的上表面的上方，并且具有第一开口；以及第二层间绝缘膜，其层积于第一层间绝缘膜上，并且具有在俯视时与第一开口重叠的第二开口，在第一层间绝缘膜与第二层间绝缘膜之间的边界高度处，第一开口的第一方向上的宽度与第二开口的第一方向上的宽度不同。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117355946A

    (43)申请公布日2024.01.05

    (21)申请号202280036915.0(74)专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限

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