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本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及改善其阈值电压漂移的方法。高电子迁移率晶体管包括外延结构以及与外延结构匹配的源极、漏极和栅极，所述外延结构包括依次层叠设置的沟道层和势垒层，所述沟道层和/或所述势垒层是经过掺杂选定掺杂元素后形成的，并且，所述沟道层和/或所述势垒层内的所述选定掺杂元素的掺杂浓度不低于1E15cm‑3，所述沟道层中的空穴浓度大于电子浓度，其中，所述选定元素包括Si元素、Mg元素、H元素中的至少一者。本发明改善了器件的阈值电压漂移问题，提高了器件的电压稳定性、可靠性和均匀性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117352545A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311300351.X
(22)申请日2023.10.09
(71)申请人中国科学院苏州纳
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