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硅光电倍增管关键性能表征方法
1范围
本文件界定了硅光电倍增管（SiliconPhotomultiplier,SiPM）的术语，规定了其光电参数的测
试方法。
本文件适用于SiPM性能的测试，与芯片尺寸、像素数目、封装形式无关。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本
文件。
GB/T11499-2001半导体分立器件文字符号
GB/T15651半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件
3术语和定义
GB/T11499-2001和GB/T15651界定的以及下列术语、定义适用于本文件。
反向击穿电压reversebreakdownvoltage
VBR
暗环境下，通过硅光电倍增管的反向电流骤然增加对应的电压。
暗电流darkcurrent
I
D
无光照并在试样两端施加规定的反向偏置电压时，通过试样的电流。
过偏压overvoltage
Vov
高于反向击穿电压以上的电压。
增益gain
M
暗环境下，一定过偏压下的单个像素产生的电荷量与电子电量之比。
暗计数率darkcountrate
DCR
暗环境下，单位时间内产生的雪崩事件数。
探测效率photondetectionefficiency
PDE
探测到入射光子的概率。
单光子时间分辨率single-photontimingresolution
SPTR
当单光子脉冲照到硅光电倍增，输出脉冲时间分布的宽度，以输出脉冲时刻统计直方图的半高宽来
度量。
1
后脉冲afterpulsing
AP
雪崩产生的载流子被材料中缺陷、陷阱等俘获后再释放触发雪崩的电学信号。后脉冲信号幅度一般
比雪崩信号脉冲幅度小，且发生在雪崩信号脉冲之后。
串扰crosstalk
CT
某一像素触发相邻像素雪崩的概率。
线性度linearity
规定时刻范围内，终端时刻与初始时刻触发脉冲幅度相对变化率与入射到靶面的光子数目相对变
化率之比，即
A(t)−A(t)
output2output1
A(t)
Linearity=output1tt
A(t)−A(t)21
input2input1
A(t)
input1
式中：
t—初始时刻
1
t—终端时刻
2
A(t)—初始时刻入射到靶面的光子数目
input1
A(t)—终端时刻入射到靶面的光子数目
input2
A(t)—初始时刻触发脉冲幅度
output1
A(t)—终端时刻触发脉冲幅度
output2
动态范围dynamicrange
DR
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