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本发明公开了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法、HEMT，所述氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、高阻层、电子限制层、沟道层、势垒层、盖帽层；所述电子限制层包括交替层叠的P型AlInGaN层和氮极性A掺杂GaN层，A包括B、Sc、Al中的一种或多种组合，所述氮极性A掺杂GaN层的禁带宽度大于所述P型AlInGaN层，所述氮极性A掺杂GaN层的晶格常数小于P型AlInGaN层。本发明提供的氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片能够降低缓冲层的漏电流，同时降低
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117352537A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311659766.6H01L21/335(2006.01)
(22)申请日2023.12
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